Сотрудники лаборатории «РНФ-19-88» Института физики Казанского федерального университета представили на XXXVII Фортовской международной конференции «Уравнения состояния вещества», которая проходила с 1 по 6 марта в поселке Терскол, в Приэльбрусье, математическую модель процессов в вакуумной и разрядной камерах высокочастотной плазменной установки пониженного давления.

Организаторами научного мероприятия, собравшего более 300 исследователей из России и зарубежья, являются Объединенный институт высоких температур РАН (ОИВТ РАН) и Кабардино-Балкарский государственный университет. Конференция посвящена памяти академика, экс-президента РАН Владимира Фортова.

В конференции приняли участие известные ученые в области физики высоких и низких температур, пылевой плазмы и математического моделирования процессов в различных состояниях: академик РАН С.Гаранин, профессор Сианьского университета Цзяотун (Китай) Д.Хоффман, академик РАН О.Петров, заведующий лабораторией широкодиапазонных уравнений состояния ОИВТ РАН К.Хищенко, ведущий научный сотрудник ОИВТ РАН Л.Дьячков, завлабораторией синтеза селективно-проницаемых полимеров Института проблем химической физики РАН В.Султанов и другие.

Работа конференции проходила в девяти секциях. Ученые КФУ озвучили свои научные результаты в секции «Физика низкотемпературной плазмы». Постерный доклад «Математическое моделирование потока ВЧ-плазмы при пониженных давлениях с учетом заряда на образце» представил старший научный сотрудник лаборатории, доцент кафедры радиофизики Института физики КФУ Александр Шемахин, а инженер лаборатории Тимур Терентьев презентовал работу «Частотная зависимость характеристик индуктивно-связанного ВЧ-разряда при пониженном давлении».

«В наших докладах были представлены результаты работы по проекту Российского научного фонда "Численное и экспериментальное исследование высокочастотной плазмы пониженного давления для модификации поверхностей функциональных материалов". Коллективом проекта усовершенствована созданная ранее математическая модель процессов в высокочастотной плазменной установке пониженного давления, добавлен учет зарядки образца в потоке плазмы в вакуумной камере, где происходит обработка материала. А для разрядной камеры, в которой действует, по оценкам длин свободных пробегов, приближение сплошной среды, разработана новая двумерная осесимметричная математическая модель с учетом потока плазмы и варьирования мощности, подаваемой на индуктор. Проведенные расчеты помогли обосновать применимость частот 1,76 и 13,56 МГц для мощностей разряда в диапазоне от 0,7 до 2,5 кВт и выявить оптимальные энергетические параметры для каждой частоты», – рассказал Александр Шемахин.

Усовершенствованная математическая модель высокочастотной плазмы (ВЧ-плазмы) пониженного давления позволяет проводить расчеты оптимальных параметров работы ВЧ-плазмотронов и определять параметры обработки образцов различной физической природы.